米乐m6官网Info Mat：基于配体调控的低暗电流PbS胶体量子点CMOS红外成像芯片红外探测与成像可以分辨成分和温度等不可见的信息，因此在安防米乐m6官网登录入口、夜视、生物医疗、航空航天和自动驾驶等领域都有广泛的应用。传统红外成像芯片依赖外延和倒装键合等工艺，成本高昂且与硅基制造工艺不兼容米乐m6官网登录入口。PbS胶体量子点（CQD）是一种溶液法制备、能带可调的红外光敏材料米乐m6官网登录入口，与互补金属氧化物半导体（CMOS）读出电路（ROIC）工艺兼容M6米乐，有望打破成本壁垒，拓宽红外市场。

　　目前PbS CQD探测器的性能主要受限于暗电流，与传统InGaAs探测器仍有较大差距，尤其是当CQD的尺寸增大，由于（100）晶面暴露导致表面未配位原子和晶面融合产生的缺陷增多，暗电流急剧上升，对成像质量有严重影响M6米乐。因此，如何解决大尺寸CQD的（100）晶面钝化与保护是抑制探测器暗电流的关键问题。

　　唐江教授团队针对大尺寸PbS CQD表面钝化的核心问题，引入了一种两端具有给电子能力的配体材料米乐m6官网登录入口，通过对接有卤素离子的PbS CQD进行二次钝化M6米乐，实现薄膜中PbS CQD（100）面的保护和多聚体的抑制M6米乐M6米乐。经过双端配体钝化后的薄膜在Urbach能谱米乐m6官网登录入口、PL光谱、瞬态吸收光谱中均表现出了峰宽窄化和能量损耗的降低，意味着颗粒的均匀性和分散性提高以及缺陷态带尾态的减少。

　　基于优化后的PbS CQD薄膜，团队进一步构筑了p-i-n型光电二极管器件，制备工艺可兼容Si CMOS制造技术。通过完整的探测性能表征，器件在10 mV的反向偏压下具有9.6 nA cm−2的暗电流密度，相比于对照器件实现了一个数量级的降低米乐m6官网登录入口。此外，器件在1300 nm具有50.8%的EQE和2.5 × 1012 Jones的D*。

　　基于上述高性能器件技术，团队成功制备了30万像素（640 × 512）、像素间距15 μm的PbS CQD-CMOS短波红外成像芯片。通过搭建相机系统并进行红外场景拍照，证实芯片具有明显的红外分辨能力米乐m6官网登录入口。团队也展示了多场景下的红外相机应用，包括物质分辨、红外穿透等功能。

　　图1. PbS CQD光电二极管的器件结构和性能米乐m6官网登录入口。(A) 器件结构示意图和SEM横截面图；(B) 器件的能带结构。(C) PbS CQD光电二极管在黑暗环境和1300 nm LED光照下的J-V曲线米乐m6官网登录入口。(D) 结电流密度拟合曲线米乐m6官网登录入口。(E) 漏电流密度拟合曲线. PbS CQD成像仪的性能和应用。

　　(A) CQD相机拍摄的ISO 12233斜边法标准测试图。水平和垂直斜边用红色矩形标记，用于MTF测试米乐m6官网登录入口。(B) CQD相机拍摄的ISO 14524相机OECF测试图。(C) 由硅成像仪（左）和CQD成像仪（右）拍摄的TFT显示屏覆盖的“HUST”照片。(D) 用硅成像仪（上）和CQD成像仪（下）拍摄的墨镜照片M6米乐。(E) 用硅成像仪（上）和CQD成像仪（下）拍摄的磁卡照片米乐m6官网登录入口。(F) 硅成像仪（上）和CQD成像仪（下）拍摄的糖和盐的照片。(G) 硅成像仪（上）和CQD成像仪（下）拍摄的大米照片。