米乐m6雪崩失效的原因 雪崩能量的失效机理模式功率MOSFET在功率脉冲的作用下进入雪崩的工作状态，VDS电压增加米乐m6官网登录入口，体到epi-结的电场也增加米乐m6官网，当场强增加到临界值时（硅中大约为300kV/cm），产生载流子的雪崩倍增，导致突然急剧增加。雪崩倍增并不是一个损坏的过程，在这个过程中米乐m6官网登录入口，由于功耗增加导致硅片的结温升高，当结温升高到硅片特性允许的临界值，失效将发生M6米乐。

　　功率MOSFET在雪崩过程中硅片的温度升高M6米乐M6米乐米乐m6官网，VGS的阈值急剧降低，同时在雪崩过程中M6米乐，VDS的电压耦合到G极，在G米乐m6官网登录入口、S上产生的电压VGS高于的阈值M6米乐，MOSFET误触发而开通，导致瞬态的大电流流过硅片局部区域米乐m6官网，产生电流熔丝效应米乐m6官网登录入口，从而损坏功率MOSFETM6米乐，在这个过程中，通常也会叠加寄生三极管导通的损坏机理米乐m6官网登录入口。在实际应用中，UIS雪崩较少以这种方式发生失效。

　　I****AS会流经MOSFET的基极寄生电阻RB。此时M6米乐，寄生双极型晶体管的基极和发射极之间会产生电位差V****BE，如果该电位差较大，则寄生双极晶体管可能会变为导通状态。一旦这个寄生双极晶体管导通米乐m6官网登录入口，就会流过大电流M6米乐，MOSFET可能会因短路而失效。

　　在雪崩击穿期间，不仅会发生由雪崩电流导致寄生双极晶体管误导通而造成的短路和损坏米乐m6官网登录入口，还会发生由传导损耗带来的热量造成的损坏。如前所述，当MOSFET处于击穿状态时会流过雪崩电流。

　　在这种状态下米乐m6手机版，BV****DSS被施加到MOSFET并且流过雪崩电流，它们的乘积成为功率损耗。这种功率损耗称为“雪崩能量E****AS”米乐m6官网登录入口。雪崩测试电路及其测试结果的波形如下图所示。此外，雪崩能量可以通过公式(1)来表示。

　　的方法 /

　　EAR，同时标注了测量条件M6米乐，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C米乐m6官网登录入口，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件

　　当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时M6米乐M6米乐米乐m6手机版，就会发生击穿M6米乐。当施加高于BVDSS的高电场时米乐m6手机版，自由电子被加速并带有很大的